作為存儲領域極少數具備自主封裝測試能力的廠商之一，記憶擁有完整的封裝設計、仿真、可靠性驗證和先進封測制造能力。通過自主研發創新，已掌握大容量、高密度、超薄系統級産品封裝測試的核心工藝，并完成産品的多次叠代。
擁有先進的SIP系統級封裝及測試整體解決方案，可将多個不同芯片通過3D堆疊集成在同一個封裝體内，形成一個獨立的器件系統，以實現及滿足多功能、小尺寸、高性能、低功耗、高可靠性的産品及市場需求。
記憶是國内封測行業中第一家引入超薄晶圓加工工藝的企業，3D Flash晶圓研磨切割能力可達50um以下，擁有SDBG、Edge Trimming、Laser grooving等核心工藝，可深加工各種不同的晶圓，工藝能力達到國際先進水平。
擁有國際領先的無頂針疊晶工藝，實現超薄晶圓的疊晶，最高單顆芯片可容納32顆存儲芯片，達到TB級容量的封裝産品;
最終封裝厚度：DDP（2疊DIE）、QDP(4疊DIE) 的産品厚度在1.0mm以内；ODP(8疊DIE)的産品厚度在1.2mm以内；HDP(16疊DIE)的産品厚度在1.4mm以内。
記憶擁有金線、銀線、銅線等多種焊線工藝，擁有超低線狐工藝能力、超薄芯片産品的焊接能力。
從壓鑄式塑封升級為浸入式塑封，使封膠制程更穩定。擁有超薄基闆應對能力，實現高堆疊，細間距封裝低壓力應對，産品無氣孔、無流痕、無沖線；同時，柔性可調節産品厚度的能力。
自封顆粒老化是采用自主研發且擁有專利的測試系統，具備存儲行業專用的ATE測試機台測試開發能力。記憶還建立了測試大數據系統，支持端到端的測試數據追蹤，并擁有大數據分析及應用能力、海量測試治具使用監控能力，為智能制造及遠程監控打下堅實的基礎。
